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GP20	文件：568.52 Kbytes Page：6 Pages	ISOLATED, PROPORTIONAL DC TO HV DC CONVERTERS PRODUCTDESCRIPTION TheGPSeriesisalineofminiatureDCtoHVDCconvertersproviding100Vto6kV,positiveornegativeinacompactPCmountpackage.Thislinefeatureslowpowerconsumption,makingitidealforportable,batterypoweredapplications.Theisolatedoutputisproportionaltot	XPPOWER XP Power Limited	XPPOWER
GP20	文件：240.77 Kbytes Page：9 Pages	Packaging Information	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
GP20	文件：300 bytes Page：1 Pages	Packaging Information;	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
GP20	文件：300 bytes Page：1 Pages	Alarm Indicating Fuses;	Daito 大东通信	Daito
GP200	文件：366.89 Kbytes Page：2 Pages	2 AMP SOFT GLASS PASSIVATED DIODES FEATURES PROPRIETARYSOFTGLASSJUNCTIONPASSIVATIONFORSUPERIORRELIABILITYANDPERFORMANCE VOIDFREEVACUUMDIESOLDERINGFORMAXIMUMMECHANICALSTRENGTHANDHEATDISSIPATION (SolderVoids:Typical	DEC DIOTEC Electronics Corporation	DEC
GP2001-7R	文件：72.35 Kbytes Page：5 Pages	120...195 Watt DC-DC Converters 120...195WattDC-DCConverters Inputvoltageupto150VDC1to4isolatedoutputs3.3...96VDC4242VDCI/Oelectricstrengthtestvoltage •Extremelyslimcase(4TE),fullyenclosed •Extremelylowinrushcurrent,hotswappable •Operatingambienttemperaturerange –40..	POWER-ONE Power-One	POWER-ONE
GP200MHS12	文件：99.55 Kbytes Page：10 Pages	Half Bridge IGBT Module ThePowerlinerangeofhighpowermodulesincludeshalfbridgeandsingleswitchconfigurationscoveringvoltagesfrom600Vto3300Vandcurrentsupto4800A. TheGP200MHS12isahalfbridge1200V,nchannelenhancementmode,insulatedgatebipolartransistor(IGBT)module.TheIGBThasawidere	Dynex Dynex Semiconductor	Dynex
GP200MHS18	文件：135.7 Kbytes Page：10 Pages	Half Bridge IGBT Module ThePowerlinerangeofhighpowermodulesincludeshalfbridge,dualandsingleswitchconfigurationscoveringvoltagesfrom600Vto3300Vandcurrentsupto4800A. FEATURES ■NonPunchThroughSilicon ■IsolatedCopperBaseplate ■LowInductanceInternalConstruction ■200APerA	Dynex Dynex Semiconductor	Dynex
GP200MKS12	文件：126.64 Kbytes Page：10 Pages	IGBT Chopper Module Preliminary Information ThePowerlinerangeofhighpowermodulesincludeshalfbridge,dualandsingleswitchconfigurationscoveringvoltagesfrom600Vto3300Vandcurrentsupto2400A. TheGP200MLS12isa1200V,nchannelenhancementmode,insulatedgatebipolartransistor(IGBT)choppermoduleconfiguredwiththeu	Dynex Dynex Semiconductor	Dynex
GP200MLS12	文件：127.12 Kbytes Page：10 Pages	IGBT Chopper Module Preliminary Information ThePowerlinerangeofhighpowermodulesincludeshalfbridge,dualandsingleswitchconfigurationscoveringvoltagesfrom600Vto3300Vandcurrentsupto2400A. TheGP200MLS12isa1200V,nchannelenhancementmode,insulatedgatebipolartransistor(IGBT)choppermoduleconfiguredwiththel	Dynex Dynex Semiconductor	Dynex

技术参数

输出电流（mA）：
150
输出电压种类（V）：
1.2、1.5、1.8、2.5
IQ（uA)：
1.6
电压精度（﹪）：
±2
压差（mV）：
450 @ 100mA
PSRR值（dB）：
/
封装：
SOT23-3

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