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HGP037N10S

丝印:GP037N10S;Package:TO-220;100V N-Ch Power MOSFET

Feature ◇ High Speed Power Switching ◇ Enhanced Body diode dv/dt capability ◇ Enhanced Avalanche Ruggedness ◇ 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ◇ Lead Free Application ◇ Synchronous Rectification in SMPS ◇ Hard Switching and High Speed Circuit ◇ Power Tools ◇ UPS ◇ Motor Control

文件:841.5 Kbytes 页数:7 Pages

HUNTECK

恒泰柯半导体

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更多GP037N10S供应商 更新时间2025-9-19 15:50:00