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GN8N65FA9R

MOS 场效应晶体管--普通MOSFET

CRMICRO

华润微电子

技术参数

  • ID(A):

    8

  • RDSON(Ω)(@Vgs=10V):

    1.6

  • VGS(TH)(V):

    2-4

  • QG(nC):

    13.4

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 状态:

    量产

  • 更新日期:

    2017-10-30

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更多GN8N65FA9R供应商 更新时间2026-7-22 16:30:00