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| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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N-Channel60-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
N-ChannelEnhancementMOSFET | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | ||
0.38A,60V,RDS(O)2.8ohmN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | ||
N-Channel60-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
N-ChSmallSignalMOSFET | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | ||
N-ChannelEnhancementModeMOSFET | SYNC-POWERSYNC POWER Crop. 擎力科技擎力科技股份有限公司 | SYNC-POWER | ||
N-channelEnhancedmodeSOT-23MOSFET | SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司 | SEMIPOWER | ||
HighSpeedSwitchingApplications ○HighSpeedSwitchingApplications •ESDprotectedgate •LowON-resistanceRDS(on)=2.8Ω(typ.)(@VGS=10V) RDS(on)=3.1Ω(typ.)(@VGS=5V) RDS(on)=3.2Ω(typ.)(@VGS=4.5V) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
High-SpeedSwitching Features (1)ESD(HBM)level2kV (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=1.05Ω(typ.)(@VGS=10V) RDS(ON)=1.15Ω(typ.)(@VGS=5.0V) RDS(ON)=1.2Ω(typ.)(@VGS=4.5V) Applications •High-SpeedSwitching | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
SmallSignalN-ChannelMOSFET FEATURES AEC-Q101Qualified Advancedtrenchcelldesign ESDprotectedG-S2kV(HBM) RoHSCompliant Halogen-free APPLICATIONS Switchingcircuits High-speedlinedriver Low-sideloadswitch Relaydriver | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司 | TSC |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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