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GM100HB12BTA

Positive temperature coefficient

文件:93.54 Kbytes 页数:8 Pages

KEC

KEC(Korea Electronics)

GM1015

Excellent HFE Linearity HFE : HFE(0.1mA)/HFE(2mA)=0.95(Typ.)

文件:278.57 Kbytes 页数:3 Pages

GSME

桂微

GM1015_15

PNP General Purpose Transistor

文件:204.12 Kbytes 页数:2 Pages

GSME

桂微

GM1024RD1

GM 10 to 40 Amps Dual SSR

文件:437.45 Kbytes 页数:2 Pages

GREEGOO

GM1024ZD1

GM 10 to 40 Amps Dual SSR

文件:437.45 Kbytes 页数:2 Pages

GREEGOO

GM1044RD1

GM 10 to 40 Amps Dual SSR

文件:437.45 Kbytes 页数:2 Pages

GREEGOO

GM1044ZD1

GM 10 to 40 Amps Dual SSR

文件:437.45 Kbytes 页数:2 Pages

GREEGOO

GM100HB06BLA

IGBT Module

• Trench NPT Technology\n• Low Turn-off loss\n• Positive temperature coefficient\n• 10us Short Circuit Capability;

KEC

GM100HB12BLA

Module 1-Pack

KEC

GM1015

PNP General Purpose Transistor

GSME

桂微

晶体管资料

  • 型号:

    GM100-060

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si

  • 性质:

  • 封装形式:

    特殊封装

  • 极限工作电压:

    600V

  • 最大电流允许值:

    100A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    4

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    600W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    K-9

  • vtest:

    600

  • htest:

    999900

  • atest:

    100

  • wtest:

    600

技术参数

  • VCES[V]:

    600

  • IC[A]:

    100

  • VCE(SAT)[V]:

    2.1

  • VF[V]:

    1.4

  • IGBT Type:

    Trench NPT

  • AEC-Q:

    N

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更多GM10供应商 更新时间2026-1-17 15:14:00