型号：AP2125N-2.8TRG1；Package：SOT-23-3；300mA, HIGH SPEED, EXTREMELY LOW NOISE CMOS LDO REGULATOR

Features - Excellent Ripple Rejection: 70dB Typical (1.8V Version) - Low Dropout Voltage: 65mV (IOUT=100mA, 3.3V Version) - Low Standby Current: 0.01μA Typical - Low Quiescent Current: 60μA Typical - Extremely Low Noise: 50μVrms Typical - Maximum Output Current: 300mA (Min.) - High Output V

文件：676.08 Kbytes 页数：25 Pages

DIODES

美台半导体

型号：GJ50L02；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：251.05 Kbytes 页数：5 Pages

GTMGTM CORPORATION

勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司

型号：GJ5103；NPN HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTOR

文件：413.06 Kbytes 页数：3 Pages

GTMGTM CORPORATION

勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司

型号：GJ5103；N P N H I G H S P E E D S WI T C H I N G T R A N S I S T O R

文件：417.46 Kbytes 页数：3 Pages

ETL

亚历电子

型号：GJ55N03；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：223.4 Kbytes 页数：4 Pages

GTMGTM CORPORATION

勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司

型号：GJ5706；NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR

文件：931.72 Kbytes 页数：3 Pages

GTMGTM CORPORATION

勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司

型号：GJ5706；N P N E P I T A X I A L P L A N A R S I L I C O N T R A N S I S T O R

文件：933.38 Kbytes 页数：3 Pages

ETL

亚历电子