AP2125N-3.0TRG1芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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GJ6	文件：676.08 Kbytes Page：25 Pages	型号：AP2125N-3.0TRG1；Package：SOT-23-3；300mA, HIGH SPEED, EXTREMELY LOW NOISE CMOS LDO REGULATOR Features - Excellent Ripple Rejection: 70dB Typical (1.8V Version) - Low Dropout Voltage: 65mV (IOUT=100mA, 3.3V Version) - Low Standby Current: 0.01μA Typical - Low Quiescent Current: 60μA Typical - Extremely Low Noise: 50μVrms Typical - Maximum Output Current: 300mA (Min.) - High Output V 文件：676.08 Kbytes 页数：25 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
	文件：243.86 Kbytes Page：5 Pages	型号：GJ60L02；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：243.86 Kbytes 页数：5 Pages	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
	文件：243.5 Kbytes Page：5 Pages	型号：GJ60N03；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：243.5 Kbytes 页数：5 Pages	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
	文件：247.55 Kbytes Page：4 Pages	型号：GJ60T03；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：247.55 Kbytes 页数：4 Pages	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
	文件：231.65 Kbytes Page：4 Pages	型号：GJ6679；P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：231.65 Kbytes 页数：4 Pages	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM

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