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IRFR9024	文件：1.69025 Mbytes Page：5 Pages	-60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET GeneralFeatures Vps=-60VIp=-20A Robson)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRFR9024	文件：1.50124 Mbytes Page：5 Pages	60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET GeneralFeatures Vos=-60VIp=-20A Ros(on)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRFR9024	文件：299.49 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-8.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.28Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR9024N	文件：117.92 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.175ohm,Id=-11A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFR9024N	文件：886.4 Kbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9024N	文件：309 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR9024N	文件：228.83 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
IRFR9024NCPBF	文件：1.34872 Mbytes Page：10 Pages	HEXFETPOWERMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFR9024NCPBF	文件：5.56784 Mbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9024NCPBF	文件：5.33157 Mbytes Page：10 Pages	ULTRALOWON-RESISTANCE Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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详细参数

型号：
GFC9024
制造商：
GSG
制造商全称：
GSG
功能描述：
P Channel Power MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市正纳电子有限公司	GFCS8PM1.24-2S3S-1-0-350-R18	OSRAM	ROHS+Original	原厂原封元件	600	原装现货库存特价/长期供应元器件代理经销	询价
深圳市显胜光电科技有限公司	GFCS8PM1.24-2S3S-1-0-350-R18	OSRAM			20000		询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	GFCS8PM1.24-4S-1-0-350	OSRAM/欧司朗	23+	LED	15000	全新原装现货,价格优势	询价
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深圳市创新迹电子有限公司	GFCSSRML.24TNUL11350	OSRAM	22+	N/A	4262	只做原装假一罚十	询价
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