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STGP10NC60KD	文件：526.13 Kbytes Page：17 Pages	N-channel600V-10A-D2PAK/TO-220/TO-220FPShortcircuitratedPowerMESHTMIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGP10NC60KD	文件：379.54 Kbytes Page：17 Pages	N-channel600V-10A-D2PAK/TO-220/TO-220FPShortcircuitratedPowerMESHIGBT Description Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESH™IGBTs,withoutstandingperformances.Thesuffix“K”identifiesafamilyoptimizedforhighfrequencymotorcontrolapplicationswit	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGP10NC60KD	文件：1.6576 Mbytes Page：30 Pages	10A,600Vshort-circuitruggedIGBT Description ThesedevicesareveryfastIGBTsdeveloped usingadvancedPowerMESH™technology.This processguaranteesanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior.Thesedevicesarewell-suitedfor resonantorsoft-switchingapplications. Features Lowe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGP10NC60S	文件：1.27233 Mbytes Page：18 Pages	10A,600VfastIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STH10NC60	文件：337.53 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL600V-0.6ohm-10A-TO-247/ISOWATT218PowerMesh?줚IMOSFET DESCRIPTION ThePowerMESH™IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY™.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. ■TYPICALRDS(on)=0.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STH10NC60FI	文件：344.06 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STH10NC60FI	文件：337.53 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL600V-0.6ohm-10A-TO-247/ISOWATT218PowerMesh?줚IMOSFET DESCRIPTION ThePowerMESH™IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY™.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. ■TYPICALRDS(on)=0.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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STW10NC60	文件：351.9 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TSM10NC60CF	文件：353.8 Kbytes Page：6 Pages	Advancedplanarprocess	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

详细参数

型号：
GF10NC60KD
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全称：
STMicroelectronics
功能描述：
N-channel 600V - 10A - D2PAK/TO-220/TO-220FP Short circuit rated PowerMESH TM IGBT

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