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TSM10NC60CF

Advanced planar process

文件:353.8 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

TSM10NC60CF

600V, 10A, Single N-Channel Power MOSFET

TSC

台湾半导体

GB10NC60HD

N-channel 600V - 10A - TO-220 - D2PAK Very fast PowerMESH TM IGBT

文件:453.39 Kbytes 页数:15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

GB10NC60HD

N-channel 600V - 10A - TO-220 - D2PAK - TO-220FP very fast PowerMESH IGBT

文件:410.77 Kbytes 页数:17 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

GB10NC60K

N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT

文件:599.36 Kbytes 页数:17 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

技术参数

  • Type:

    N-Channel

  • Technology:

    Planar

  • Configuration:

    Single

  • Status:

    NRND

  • AEC-Q:

    No

  • VDS (V):

    600

  • VGS ±(V):

    30

  • ID Max. (A):

    10

  • TJ Max. (°C):

    150

  • RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ):

    750

  • RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ):

    670

  • Qg (nC) @ 10V:

    33

  • Qgd (nC):

    12

  • Qgs (nC):

    10

  • Ciss (pF):

    1652

  • Coss (pF):

    92

  • Crss (pF):

    11

  • MSL:

    NA

  • VGS(th) Max. (V):

    4.5

  • VGS(th) Min. (V):

    2.5

  • VGS(th) Typ. (V):

    3.4

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更多TSM10NC60CF供应商 更新时间2025-10-10 11:01:00