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GES6014	文件：54.88 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued) 文件：54.88 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
GES6014	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 70V 0.8A 3-Pin TO-92	NJS 新泽西半导体	NJS
GES6014-J1	文件：54.29 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors 文件：54.29 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
HA6014	文件：30.88 Kbytes Page：1 Pages	17.0 - 18.0 GHz Power Amplifier 文件：30.88 Kbytes 页数：1 Pages	HBH	HBH
HIP6014	文件：211.63 Kbytes Page：12 Pages	Buck and Synchronous-Rectifier (PWM) Controller and Output Voltage Monitor Buck and Synchronous-Rectifier (PWM) Controller and Output Voltage Monitor The HIP6014 provides complete control and protection for a DC-DC converter optimized for high-performance microprocessor applications. It is designed to drive two N-Channel MOSFETs in a synchronous-rectified buck topology. 文件：211.63 Kbytes 页数：12 Pages	INTERSIL	INTERSIL
HIP6014	文件：793.42 Kbytes Page：12 Pages	Buck and Synchronous-Rectifier (PWM) Controller and Output Voltage Monitor Features • Drives Two N-Channel MOSFETs • Operates from +5V or +12V Input • Simple Single-Loop Control Design - Voltage-Mode PWM Control • Fast Transient Response - High-Bandwidth Error Amplifier - Full 0 to 100 Duty Ratio • Excellent Output Voltage Regulation - 1 Over Line Voltage and T 文件：793.42 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

晶体管资料

型号：
GES6014
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N/P
性质：
通用型（Uni）_低噪放大（ra）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
70V
最大电流允许值：
0.8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2N6010,2N6011,2N6012,2N6013,2N6014,2N6015,2N6016,2N6017,
最大耗散功率：
0.5W
放大倍数：
β>100
图片代号：
A-20
vtest：
70
htest：
999900
atest：
0.8
wtest：
0.5

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
70V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.15@10mA@100mA0.5@50mA@500mA
Maximum Collector Emitter Voltage：
70V
Maximum DC Collector Current：
0.8A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
625mW
Maximum Transition Frequency：
335MHz
Type：
NPN

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