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GES5818

Signal Transistors

文件:216.05 Kbytes 页数:4 Pages

GESS

GES5818

Silicon Transistors

文件:156.6 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

GES5818

Trans GP BJT PNP 40V 0.75A

NJS

NJS

GES5818-J1

Small Signal Transistors

文件:54.29 Kbytes 页数:1 Pages

Central

晶体管资料

  • 型号:

    GES5818

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N/P

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_TR

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    50V

  • 最大电流允许值:

    0.75A

  • 最大工作频率:

    >135MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2N5810,2N5811,2N5812,2N5813,2N5814,2N5815,2N5816,2N5817,2N5818,2N5819,2N5820,2N5821,2N5822,2N5823,

  • 最大耗散功率:

    0.5W

  • 放大倍数:

    β>150

  • 图片代号:

    A-20

  • vtest:

    50

  • htest:

    135000100

  • atest:

    0.75

  • wtest:

    0.5

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • Material:

    Si

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:

    0.75@50mA@500mAV

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    40V

  • Maximum DC Collector Current:

    0.75A

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    5V

  • Maximum Operating Temperature:

    135ᄀC

  • Maximum Power Dissipation:

    500mW

  • Maximum Transition Frequency:

    135(Min)MHz

  • Type:

    PNP

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更多GES5818供应商 更新时间2025-12-24 11:09:00