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HGD029NE4SL

丝印:GD029NE4SL;Package:TO-252;45V N-Ch Power MOSFET

Feature ◇Optimized for high speedswitching,Logic Level ◇Enhanced Body diode dv/dt capability ◇Enhanced Avalanche Ruggedness ◇100% UIS Tested, 100% Rg Tested ◇Lead Free, Halogen Free Application ◇Synchronous Rectification in SMPS ◇Hard Switching and High Speed Circuit ◇Pow

文件:830.38 Kbytes 页数:6 Pages

HUNTECK

恒泰柯半导体

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更多GD029NE4SL供应商 更新时间2025-8-16 10:01:00