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GC3D25170H	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC 碳化硅肖特基二极管	GWOKSEMI 国晶微	GWOKSEMI
C3D25170H	文件：514.789 Kbytes Page：5 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode 文件：514.789 Kbytes 页数：5 Pages	Cree 科锐	Cree
GC4056	文件：0 bytes Page：0 Pages	ESOP8	国芯上传：深圳广友电子有限公司	国芯
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技术参数

额定电流：
25 A
正向电压 (VF)：
1.7 V
总功率(Ptot)：
384 W
封装：
TO-247-2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多GC3D25170H供应商更新时间2025-10-31 11:06:00

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