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GC300N65K

650V N Channel SUPER JUNCTION MOSFET

GOFORD

谷峰半导体

GC300N65F

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The GC300N65F uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

文件:913.49 Kbytes 页数:6 Pages

GOFORD

谷峰半导体

GC331AD72E333KX01D

MURATA/村田
SMD

MURATA/村田

GC331AD72W103KX01D

MURATA/村田
SMD

MURATA/村田

GC3933

OWEIS
TSSOP16

OWEIS

技术参数

  • Package:

    TO-252

  • Type:

    N

  • ESD Diode:

    NO

  • Vds(V):

    650

  • Vgs(V):

    ±30

  • Id(A):

    13

  • Pd(W):

    132

  • Vgs(th)max(V):

    3.8

  • Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V:

    270

  • Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V:

    320

  • Qg(nC):

    23

  • Qgs(nC):

    5

  • Qgd(nC):

    10

  • Ciss(pF):

    660

  • Crss(pF):

    1.9

  • Technology:

    SUPER JUNCTION

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
AMASS/艾迈斯
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更多GC300N65K供应商 更新时间2025-10-12 11:10:00