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GC280N65F	文件：736.96 Kbytes Page：6 Pages	丝印：GC280N65；Package：TO-220F；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GC280N65F uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l LCD/LED/PDP TV l Telecom/Server Power supplies l AC-DC Power Supply l LED Lighting 文件：736.96 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GC280N65F	文件：300 bytes Page：1 Pages	650V N Channel SUPER JUNCTION MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GC331AD72E333KX01D	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD	MURATA/村田上传：深圳市河锋鑫科技有限公司	MURATA/村田
GC331AD72W103KX01D	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD	MURATA/村田上传：深圳市河锋鑫科技有限公司	MURATA/村田
GC3933	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSSOP16	OWEIS 上传：深圳市赛尔通科技有限公司	OWEIS

技术参数

Package：
TO-220F
Type：
N
ESD Diode：
NO
Vds(V)：
650
Vgs(V)：
±20
Id(A)：
15
Pd(W)：
96.1
Vgs(th)max(V)：
4.5
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
220
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
280
Qg(nC)：
27
Qgs(nC)：
5
Qgd(nC)：
10
Ciss(pF)：
1200
Crss(pF)：
0.4
Technology：
SUPER JUNCTION

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