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|---|---|---|---|---|
GC210N80FE | 丝印：GC210N80E；Package：TO-220F；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GC210N80FE uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：797.68 Kbytes 页数：6 Pages | GOFORD 谷峰半导体 | GOFORD | |
GC210N80FE | 800V N Channel SUPER JUNCTION MOSFET The GC210N80FE uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. | GOFORD 谷峰半导体 | GOFORD | |
DIP18 | 富满 | 富满 | ||
SMD | MURATA/村田 上传：深圳市河锋鑫科技有限公司 | MURATA/村田 | ||
SMD | MURATA/村田 上传：深圳市河锋鑫科技有限公司 | MURATA/村田 |
技术参数
- Package：
TO-220F
- Type：
N
- ESD Diode：
YES
- Vds(V)：
800
- Vgs(V)：
±30
- Id(A)：
17
- Pd(W)：
51
- Vgs(th)max(V)：
3.6
- Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
185
- Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
210
- Qg(nC)：
50
- Qgs(nC)：
8
- Qgd(nC)：
4
- Ciss(pF)：
2200
- Crss(pF)：
3
- Technology：
SUPER JUNCTION
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Gem-micro(晶群) |
2021+ |
SOT-23-6L |
3499 |
询价 | |||
GEM-MICRO |
23+ |
SOT23-6 |
3000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
GEM-MICRO |
14+ |
SOT23-6 |
3000 |
询价 | |||
GEM-MICRO |
2022+ |
SOT23-6 |
3000 |
原厂原装,假一罚十 |
询价 | ||
GEM-MICRO |
2450+ |
SOT23-6 |
8540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
DIODES(美台) |
25+ |
HC-49S-SMD |
6843 |
样件支持,可原厂排单订货! |
询价 | ||
DIODES(美台) |
25+ |
HC-49S-SMD |
6895 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
23+ |
TO-92 |
32687 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
24+ |
BGA |
42 |
询价 | ||||
INTEL |
05+ |
原厂原装 |
4239 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 |
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更新时间2026-1-28 8:40:00
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