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GBLC03CSC	文件：300 bytes Page：1 Pages	ESD Device	FutureWafer 未来芯	FutureWafer
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技术参数

Breakdown Voltage：
4.0 V.Min
Peak Pulse Current：
30 A
Junction Capacitance：
0.8 pF.Max
Configure：
Bi-Dir
Peak Pulse Power：
500 W
ESD Level：
30 KV
Package：
SOD-323

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更多GBLC03CS供应商更新时间2026-4-15 12:31:00

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