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GAL18V10B-15LJ	文件：265.87 Kbytes Page：16 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL18V10,at7.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovideaveryflexible20-pinPLD.CMOScircuitryallowstheGAL18V10toconsumemuchlesspowerwhencomparedtoitsbipolar	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思莱迪思半导体	Lattice
GAL18V10B-15LP	文件：265.87 Kbytes Page：16 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL18V10,at7.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovideaveryflexible20-pinPLD.CMOScircuitryallowstheGAL18V10toconsumemuchlesspowerwhencomparedtoitsbipolar	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思莱迪思半导体	Lattice

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GAL18V10B-15LJ

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HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic

Description TheGAL18V10,at7.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovideaveryflexible20-pinPLD.CMOScircuitryallowstheGAL18V10toconsumemuchlesspowerwhencomparedtoitsbipolar

LatticeLattice Semiconductor Corporation

莱迪思莱迪思半导体

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LatticeLattice Semiconductor Corporation

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Lattice

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深圳廊盛科技有限公司	GAL18V10B-15LP内存芯片	LATTICE/莱迪斯	2022	DIP	80000	原装现货,OEM渠道,欢迎咨询	询价
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更多GAL18V10B-15LP内存芯片供应商更新时间2024-9-21 11:00:00

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