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G7N65F	文件：716.77 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G7N65；Package：TO-220F；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description ThisadvancedMOSFETfamilyhasoptimizedon-state resistance,andalsoprovidessuperiorswitching performanceandhigheravalancheenergystrength.This devicefamilyissuitableforhighefficiencyswitchmode powersupplies. Application lLEDpowersupplies lCellPhoneC	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
HM7N65	文件：346.3 Kbytes Page：8 Pages	650VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM7N65I	文件：506.69 Kbytes Page：8 Pages	650VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM7N65K	文件：506.69 Kbytes Page：8 Pages	650VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMS7N65I	文件：490.98 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFET?	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
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HRH7N65AD	文件：2.26513 Mbytes Page：12 Pages	650VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON≤1.4Ω@Vgs=10V,Id=3.5A gateCharge(typicaltypical23.05nC) Crss(typicaltypical2.2pF) Fastswitchingcapability %avalanchetested Improveddv/dtcapability Applications SwitchModePowerSupply( UninterruptiblePowerSupply(UPS) PowerFactorCorrection(PFC)(P	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
HRH7N65AF	文件：2.26513 Mbytes Page：12 Pages	650VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON≤1.4Ω@Vgs=10V,Id=3.5A gateCharge(typicaltypical23.05nC) Crss(typicaltypical2.2pF) Fastswitchingcapability %avalanchetested Improveddv/dtcapability Applications SwitchModePowerSupply( UninterruptiblePowerSupply(UPS) PowerFactorCorrection(PFC)(P	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
HRH7N65AFT	文件：2.26513 Mbytes Page：12 Pages	650VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON≤1.4Ω@Vgs=10V,Id=3.5A gateCharge(typicaltypical23.05nC) Crss(typicaltypical2.2pF) Fastswitchingcapability %avalanchetested Improveddv/dtcapability Applications SwitchModePowerSupply( UninterruptiblePowerSupply(UPS) PowerFactorCorrection(PFC)(P	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
HRH7N65AP	文件：2.26513 Mbytes Page：12 Pages	650VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON≤1.4Ω@Vgs=10V,Id=3.5A gateCharge(typicaltypical23.05nC) Crss(typicaltypical2.2pF) Fastswitchingcapability %avalanchetested Improveddv/dtcapability Applications SwitchModePowerSupply( UninterruptiblePowerSupply(UPS) PowerFactorCorrection(PFC)(P	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	G7NA-30D180	BEL	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	G7NB-30E3P2G	BEI	23+	SMD	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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