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G7N65F	文件：716.77 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G7N65；Package：TO-220F；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description This advanced MOSFET family has optimized on-state resistance, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for high efficiency switch mode power supplies. Application l LED power supplies l Cell Phone C 文件：716.77 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G7N65F	文件：300 bytes Page：1 Pages	650V N Channel PLANAR MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
HM7N65	文件：346.3 Kbytes Page：8 Pages	650V N-Channel MOSFET 文件：346.3 Kbytes 页数：8 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM7N65I	文件：506.69 Kbytes Page：8 Pages	650V N-Channel MOSFET 文件：506.69 Kbytes 页数：8 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM7N65K	文件：506.69 Kbytes Page：8 Pages	650V N-Channel MOSFET 文件：506.69 Kbytes 页数：8 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI

技术参数

Package：
TO-220F
Type：
N
ESD Diode：
NO
Vds(V)：
650
Vgs(V)：
±30
Id(A)：
7
Pd(W)：
45
Vgs(th)max(V)：
3.5
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
1170
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
1400
Qg(nC)：
21
Qgs(nC)：
9
Qgd(nC)：
8
Ciss(pF)：
1059
Crss(pF)：
5
Technology：
PLANAR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多G7N65F供应商更新时间2025-10-11 11:00:00

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