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G75P04F	文件：681.49 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G75P04；Package：TO-220F；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G75P04F uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：681.49 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G75P04FI	文件：667.89 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G75P04I；Package：TO-220F；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G75P04FI uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：667.89 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G75P04F	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Mosfet	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G75P04K	文件：625.28 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G75P04K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：625.28 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G75P04KA	文件：900.7 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G75P04KA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：900.7 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G75P04M	文件：1.01616 Mbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G75P04M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.01616 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

技术参数

Configuration：
P channel
ESD：
NO
VDS：
-40V
Id at 25℃(max)：
-54A
PD(max)：
35.7W
Vgs(th)typ(V)：
-1.45V
RDS(on)(typ)(@10V)：
5.1mΩ
RDS(on)(typ)(@4.5V)：
6.6mΩ
Qg(nC)：
106
Ciss：
6768
Crss：
666

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