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G65P06F	文件：668.47 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G65P06；Package：TO-220F；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G65P06F uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：668.47 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G65P06F	文件：300 bytes Page：1 Pages	-60V P Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G65P06K	文件：665.29 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G65P06K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：665.29 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
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G65P06T	文件：891.98 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G65P06T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：891.98 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

技术参数

Package：
TO-220F
Type：
P
ESD Diode：
NO
Vds(V)：
-60
Vgs(V)：
±20
Id(A)：
-65
Pd(W)：
45
Vgs(th)max(V)：
-3.5
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
13
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
18
Qg(nC)：
105
Qgs(nC)：
24
Qgd(nC)：
23
Ciss(pF)：
6500
Crss(pF)：
340
Technology：
TRENCH

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更多G65P06F供应商更新时间2026-1-21 11:06:00

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