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60N100	文件：682.03 Kbytes Page：7 Pages	NPT-TrenchIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
CSD60N100	文件：2.36038 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
DAM60N100C	文件：282.84 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
DAM60N100G	文件：246.92 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
DAM60N100T	文件：238.65 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
FGL60N100BNTD	文件：394.77 Kbytes Page：7 Pages	1000V,60ANPTTrenchIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGL60N100BNTD	文件：682.03 Kbytes Page：7 Pages	NPT-TrenchIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGL60N100BNTDTU	文件：394.77 Kbytes Page：7 Pages	1000V,60ANPTTrenchIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGL60N100D	文件：438.28 Kbytes Page：6 Pages	ElectricalCharacteristicsofIGBT GeneralDescription InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)withtrenchgatestructurehavesuperiorperformanceinconductionandswitchingtoplanargatestructure,andalsohavewidenoiseimmunity.ThesedevicesarewellsuitableforIHapplications Features •HighSpeedSwitching •Low	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
G60N100	文件：431.7 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelIGBTwithFRD GeneralDescription TheTSG60N100CEusingproprietarytrenchdesignandadvancedNPTtechnology,the1000VNPTIGBTofferssuperiorconductionandswitchingperformances,highavalancheruggednessandeasyparalleloperation.Thisdeviceiswellsuitedfortheresonantorsoftswitchingapplicati	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
G60N100BNTD	文件：682.03 Kbytes Page：7 Pages	NPT-TrenchIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
TSG60N100	文件：431.7 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelIGBTwithFRD.	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
TSG60N100CE	文件：431.7 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelIGBTwithFRD GeneralDescription TheTSG60N100CEusingproprietarytrenchdesignandadvancedNPTtechnology,the1000VNPTIGBTofferssuperiorconductionandswitchingperformances,highavalancheruggednessandeasyparalleloperation.Thisdeviceiswellsuitedfortheresonantorsoftswitchingapplicati	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC

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