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G50N03D5	文件：991.38 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G50N03；Package：DFN5/6-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G50N03D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：991.38 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G50N03D5	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G5108	文件：0 bytes Page：0 Pages	GMT MSOP-8	GMT 致新科技上传：深圳市赛尔通科技有限公司	GMT
G5108P8U	文件：0 bytes Page：0 Pages	GMT MSOP8	GMT 致新科技上传：深圳市赛尔通科技有限公司	GMT
G5108P8U	文件：0 bytes Page：0 Pages	GMT MSOP8	GMT 致新科技上传：深圳市晨豪科技有限公司	GMT

技术参数

Configuration：
N channel
ESD：
NO
VDS(min)：
30V
Id at 25℃(max)：
50A
PD(max)：
83W
Vgs(th)typ(V)：
1.6V
RDS(on)(typ)(@10V)：
3.5mΩ
RDS(on)(typ)(@4.5V)：
6.2mΩ
Qg(nC)：
38.4
Ciss：
1784
Crss：
212

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多G50N03D5供应商更新时间2025-10-13 11:06:00

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