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G48N03D3

丝印:G48N03;Package:DFN3X3-8L;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G48N03D3 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

文件:711.98 Kbytes 页数:6 Pages

GOFORD

谷峰半导体

G48N03D3

30V N Channel TRENCH MOSFET

GOFORD

谷峰半导体

技术参数

  • Configuration:

    N channel

  • ESD:

    NO

  • VDS(min):

    30V

  • Id at 25℃(max):

    48A

  • PD(max):

    50W

  • Vgs(th)typ(V):

    1.55V

  • RDS(on)(typ)(@10V):

    4.2mΩ~4.5mΩ

  • RDS(on)(typ)(@4.5V):

    7.1mΩ~8mΩ

  • Qg(nC):

    42

  • Ciss:

    1950

  • Crss:

    240

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更多G48N03D3供应商 更新时间2025-10-12 15:01:00