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G48N03D3

丝印:G48N03;Package:DFN3X3-8L;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG48N03D3usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半导体

G48N03D3

Trench Mosfet;

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半导体

技术参数

  • Configuration:

    N channel

  • ESD:

    NO

  • VDS(min):

    30V

  • Id at 25℃(max):

    48A

  • PD(max):

    50W

  • Vgs(th)typ(V):

    1.55V

  • RDS(on)(typ)(@10V):

    4.2mΩ~4.5mΩ

  • RDS(on)(typ)(@4.5V):

    7.1mΩ~8mΩ

  • Qg(nC):

    42

  • Ciss:

    1950

  • Crss:

    240

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
GOFORD(谷峰)
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更多G48N03D3供应商 更新时间2025-7-28 15:01:00