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G450P15M	文件：935.3 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G450P15；Package：TO-263；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G450P15M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：935.3 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G450P15M	文件：300 bytes Page：1 Pages	-150V P Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G4560SR32Y	文件：0 bytes Page：0 Pages	FCLGA1151	Intel 英特尔上传：深圳市英科美电子有限公司	Intel

技术参数

Configuration：
P channel
ESD：
NO
VDS：
-150V
Id at 25℃(max)：
-120A
PD(max)：
100W
Vgs(th)typ(V)：
-2.5V
RDS(on)(typ)(@10V)：
33mΩ
Qg(nC)：
177
Ciss：
7661
Crss：
272

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更多G450P15M供应商更新时间2025-11-1 10:06:00

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