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G4176

ULTRAFAST MSM PHOTODETECTORS

DESCRIPTION HAMAMATSU realized MSM (Metal-Semiconductor-Metal) Photodetectors having ultrafast responses. The GaAs MSM Photodetector G4176 features 30ps response time for both rise & fall while keeping a low dark current (100pA at Ta=25 °C). The rise time of the InGaAs MSM Photodetector G709

文件:117.29 Kbytes 页数:4 Pages

HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd.

滨松光子滨松光子学株式会社

G4176-01

ULTRAFAST MSM PHOTODETECTORS

DESCRIPTION HAMAMATSU realized MSM (Metal-Semiconductor-Metal) Photodetectors having ultrafast responses. The GaAs MSM Photodetector G4176 features 30ps response time for both rise & fall while keeping a low dark current (100pA at Ta=25 °C). The rise time of the InGaAs MSM Photodetector G709

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HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd.

滨松光子滨松光子学株式会社

G4176E

ULTRAFAST MSM PHOTODETECTORS G4176 SERIES (GaAs)

文件:62 Kbytes 页数:3 Pages

HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd.

滨松光子滨松光子学株式会社

G4176-01

MSM(金属-半导体-金属)结构的光探测器具有超快的响应。 该G4176型GaAs MSM光探测器具有30ps的上升时间和下降时间,同时保持了低暗电流(Ta=25度下100pA )。而G7096型InGaAsMSM探测器的上升时间为40ps。感光面上制造了对称型和指状组合型的肖特基接触,其尺寸比其他快速光探测器更大,因此更容易与光路组装。所以,MSM光探测器适合光高速波形测量和光通信。   详细参数 .conclass {

Hamamatsu

滨松光子

G4176-03

MSM(金属-半导体-金属)结构的光探测器具有超快的响应。 该G4176型GaAs MSM光探测器具有30ps的上升时间和下降时间,同时保持了低暗电流(Ta=25度下100pA )。而G7096型InGaAsMSM探测器的上升时间为40ps。感光面上制造了对称型和指状组合型的肖特基接触,其尺寸比其他快速光探测器更大,因此更容易与光路组装。所以,MSM光探测器适合光高速波形测量和光通信。   详细参数 .conclass {

Hamamatsu

滨松光子

技术参数

  • 应用领域:

    应用领域 分析计测医疗学术工业民用其他 

  • 详细说明:

    详细说明

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更多G4176供应商 更新时间2026-4-17 15:13:00