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G40P03D5	文件：952.96 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G40P03；Package：DFN5/6-8L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G40P03D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：952.96 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G40P03D5	文件：300 bytes Page：1 Pages	-30V P Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G4400SR2DC	文件：0 bytes Page：0 Pages	Intel FCLGA1151	Intel 英特尔上传：深圳市英科美电子有限公司	Intel
G4560SR32Y	文件：0 bytes Page：0 Pages	Intel FCLGA1151	Intel 英特尔上传：深圳市英科美电子有限公司	Intel

技术参数

Configuration：
P channel
ESD：
NO
VDS(min)：
-30V
Id at 25℃(max)：
-35A
PD(max)：
48W
Vgs(th)typ(V)：
-1.4V
RDS(on)(typ)(@10V)：
8.5mΩ
RDS(on)(typ)(@4.5V)：
11.5mΩ
Qg(nC)：
50
Ciss：
2716
Crss：
324

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
现代芯城（深圳）科技有限公司	G40P03D5		24+	N/A	46000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
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更多G40P03D5供应商更新时间2025-10-11 11:06:00

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