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G3S06508J	文件：300 bytes Page：1 Pages	650V/8A 碳化硅肖特基功率二极管	GlobalPower 泰科天润	GlobalPower
G3S06508J	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2 隔离片；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A 2-PIN	Global Power Technology Co. Ltd	Global Power Technology Co. Ltd
G3S06508J	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2 隔离片；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A 2-PIN	Global Power Technology-GPT	Global Power Technology-GPT
SC3S06508A	文件：467.51 Kbytes Page：5 Pages	650V/8A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode 文件：467.51 Kbytes 页数：5 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON

产品属性

产品编号：
G3S06508J
制造商：
Global Power Technology Co. Ltd
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
管件
二极管类型：
碳化硅肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
23A
速度：
无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
550pF @ 0V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-2 隔离片
供应商器件封装：
TO-220ISO
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
描述：
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A 2-PIN

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