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G3R20MT12K	文件：413 Kbytes Page：3 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=1200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 26mΩ(Max)@VGS= 15V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：413 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
G3R20MT12K	文件：1.14205 Mbytes Page：14 Pages	Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode 文件：1.14205 Mbytes 页数：14 Pages	GENESIC	GENESIC
G3R20MT12K	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC MOSFET	Navitas 纳微半导体	Navitas
G3R20MT12N	文件：1.41809 Mbytes Page：14 Pages	Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode 文件：1.41809 Mbytes 页数：14 Pages	GENESIC	GENESIC

技术参数

On Resistance：
20
ID [25C](A)：
100
Package：
TO-247-4

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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