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G3R160MT12D	文件：349.48 Kbytes Page：2 Pages	SiC N-Channel MOSFET FEATURES ·Low Capacitances and Low Gate Charge ·Low Conduction Losses at High Temperatures APPLICATIONS ·Solar Inverters ·High Voltage DC-DC Converters ·Switched Mode Power Supplies ·UPS ·Auxiliary Motor Drives 文件：349.48 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
G3R160MT12D	文件：1.17598 Mbytes Page：14 Pages	Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode 文件：1.17598 Mbytes 页数：14 Pages	GENESIC	GENESIC
G3R160MT12D	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC MOSFET	Navitas 纳微半导体	Navitas
G3R160MT12J	文件：1.34763 Mbytes Page：14 Pages	Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode 文件：1.34763 Mbytes 页数：14 Pages	GENESIC	GENESIC

技术参数

On Resistance：
160
ID [25C](A)：
19
Package：
TO-247-3

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