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G33N03S

丝印:G33N03;Package:SOP-8;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G33N03S uses advanced trench technology to provide excellent R DS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application  Power switch DC/DC converters

文件:923.25 Kbytes 页数:6 Pages

GOFORD

谷峰半导体

G33N03S

30V N Channel TRENCH MOSFET

GOFORD

谷峰半导体

HRLF33N03K

100 Avalanche Tested

文件:227.09 Kbytes 页数:7 Pages

SEMIHOW

HRLP33N03K

Superior Avalanche Rugged Technology

文件:995.88 Kbytes 页数:8 Pages

SEMIHOW

技术参数

  • Configuration:

    N channel

  • ESD:

    NO

  • VDS(min):

    30V

  • Id at 25℃(max):

    13A

  • PD(max):

    2.5W

  • Vgs(th)typ(V):

    0.9V

  • RDS(on)(typ)(@10V):

    9mΩ

  • RDS(on)(typ)(@4.5V):

    10.5mΩ

  • Qg(nC):

    13

  • Ciss:

    1550

  • Crss:

    180

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多G33N03S供应商 更新时间2025-10-10 10:01:00