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G33N03D52	文件：930.55 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G33N03；Package：DFN5/6-8LDual；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G33N03D52 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：930.55 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G33N03D52	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N+N Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G3900SR2HV	文件：0 bytes Page：0 Pages	FCLGA1151	Intel 英特尔上传：深圳市英科美电子有限公司	Intel
G3CN-DX03P1-DC3/28	文件：0 bytes Page：0 Pages	直插	OMRON 欧姆龙上传：深圳市赛奥斯科技有限公司	OMRON
G3JC	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23-6	FM/富满上传：深圳广友电子有限公司	FM/富满

技术参数

Package：
DFN5*6-8L DUAL
Type：
N+N
ESD Diode：
NO
Vds(V)：
30
Vgs(V)：
±20
Id(A)：
33
Pd(W)：
29
Vgs(th)max(V)：
3
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
8.5
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V：
10.5
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
9.5
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V：
12.5
Qg(nC)：
20
Qgs(nC)：
3
Qgd(nC)：
4
Ciss(pF)：
905
Crss(pF)：
134
Technology：
TRENCH

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