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G33N03D3	文件：834.15 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G33N03；Package：DFN3X3-8LDual；DUAL N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G33N03D3 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：834.15 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G33N03D3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Mosfet	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G3900SR2HV	文件：0 bytes Page：0 Pages	Intel FCLGA1151	Intel 英特尔上传：深圳市英科美电子有限公司	Intel
G3CN-DX03P1-DC3/28	文件：0 bytes Page：0 Pages	OMRON 直插	OMRON 欧姆龙上传：深圳市赛奥斯科技有限公司	OMRON
G3JC	文件：0 bytes Page：0 Pages	FM/富满 SOT-23-6	FM/富满上传：深圳广友电子有限公司	FM/富满

技术参数

Configuration：
N channel
ESD：
NO
VDS(min)：
30V
Id at 25℃(max)：
33A
PD(max)：
20W
Vgs(th)typ(V)：
0.66V
RDS(on)(typ)(@10V)：
10mΩ
RDS(on)(typ)(@4.5V)：
11mΩ
Qg(nC)：
17.5
Ciss：
938
Crss：
99

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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天津市博通航睿技术有限公司	G33N03D3	GOFORD			10		询价
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更多G33N03D3供应商更新时间2025-10-10 15:01:00

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