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G30N60HS	文件：389.58 Kbytes Page：12 Pages	High Speed IGBT in NPT-technology 30 lower Eoff compared to previous generation HighSpeedIGBTinNPT-technology •30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedforoperationabove30kHz •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -verytigh	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
HIA30N60BP	文件：663.24 Kbytes Page：7 Pages	600VPTIGBT	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HIH30N60BP	文件：643.46 Kbytes Page：7 Pages	600VPTIGBT	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
ICE30N60W	文件：958.35 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	MICROSS Micross Components	MICROSS
ICE30N60W	文件：589.91 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	ICEMOS Icemos Technology	ICEMOS
IGB30N60T	文件：674.12 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBT:IGBTinTRENCHSTOP??andFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGB30N60T	文件：358.23 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGB30N60T	文件：465.76 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBTinTrenchStoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGP30N60T	文件：378.54 Kbytes Page：12 Pages	LOWLOSSIGBTINTRENCHANDFILEDSTOPTECHNOLOGY LowLossIGBTinTrenchandFieldstoptechnology •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime–5µs •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptiblePowerSupply •TrenchandFieldstoptechnologyfor600Vapplication	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGP30N60T	文件：446.85 Kbytes Page：13 Pages	LowLossIGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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深圳市创新迹电子有限公司	G30N60HS	INFINEON/英飞凌	22+	TP247TO220	20000	原装现货,实单支持	询价
深圳深宇韬电子科技有限公司	G30N60HS	ON SEMI	2023+	N/A	8800	正品渠道现货终端可提供BOM表配单。	询价
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