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G30N04D3

丝印:G30N04;Package:DFN3X3-8L;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G30N04D3 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

文件:732.28 Kbytes 页数:6 Pages

GOFORD

谷峰半导体

G30N04D3

40V N Channel TRENCH MOSFET

GOFORD

谷峰半导体

G3220SR1RK

FCLGA1150

G3250SR1K7

FCLGA1150

G3260SR1K8

FCLGA1150

技术参数

  • Configuration:

    N channel

  • ESD:

    NO

  • VDS(min):

    40V

  • Id at 25℃(max):

    30A

  • PD(max):

    19.8W

  • Vgs(th)typ(V):

    1.32V

  • RDS(on)(typ)(@10V):

    7.8mΩ

  • RDS(on)(typ)(@4.5V):

    11.3mΩ

  • Qg(nC):

    30

  • Ciss:

    1780

  • Crss:

    160

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
GOFORD(谷峰)
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DFN3×3-8L
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更多G30N04D3供应商 更新时间2025-12-11 15:01:00