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G300N04S2	文件：976.32 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G300N04D；Package：SOP-8DUAL；DUAL N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G300N04S2 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：976.32 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G300N04S2	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V N+N Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G3220SR1RK	文件：0 bytes Page：0 Pages	FCLGA1150	INTEL 英特尔上传：深圳市英科美电子有限公司	INTEL
G3250SR1K7	文件：0 bytes Page：0 Pages	FCLGA1150	INTEL 英特尔上传：深圳市英科美电子有限公司	INTEL
G3260SR1K8	文件：0 bytes Page：0 Pages	FCLGA1150	INTEL 英特尔上传：深圳市英科美电子有限公司	INTEL

技术参数

Package：
SOP-8 DUAL
Type：
N+N
ESD Diode：
NO
Vds(V)：
40
Vgs(V)：
±20
Id(A)：
5.5
Pd(W)：
1.25
Vgs(th)max(V)：
2.5
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
23
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V：
32
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
30
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V：
40
Qg(nC)：
10
Qgs(nC)：
1.6
Qgd(nC)：
2
Ciss(pF)：
522
Crss(pF)：
32
Technology：
TRENCH

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更多G300N04S2供应商更新时间2026-1-26 16:21:00

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