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G300C03L6	文件：1.17714 Mbytes Page：10 Pages	丝印：G300C03；Package：SOT-23-6LDUAL；N and P Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G300C03L6 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.17714 Mbytes 页数：10 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G300C03L6	文件：300 bytes Page：1 Pages	30/-30V N+P Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G3220SR1RK	文件：0 bytes Page：0 Pages	Intel FCLGA1150	Intel 英特尔上传：深圳市英科美电子有限公司	Intel
G3250SR1K7	文件：0 bytes Page：0 Pages	Intel FCLGA1150	Intel 英特尔上传：深圳市英科美电子有限公司	Intel
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技术参数

Package：
SOT-23-6L DUAL
Type：
N+P
ESD Diode：
NO
Vds(V)：
30/-30
Vgs(V)：
±12
Id(A)：
5.6/-4.2
Pd(W)：
1.4/1.2
Vgs(th)max(V)：
1.3/-1.3
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
22/43
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V：
25/51
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=2.5V：
38/68
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
27/55
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V：
30/65
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=2.5V：
65/90
Qg(nC)：
16/8.5
Qgs(nC)：
2/1.8
Qgd(nC)：
1.8/2.7
Ciss(pF)：
547/693
Crss(pF)：
57/68
Technology：
TRENCH

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