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G220P03S2

丝印:G220P03D;Package:SOP-8DUAL;DUAL P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G220P03S2 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

文件:836.51 Kbytes 页数:6 Pages

GOFORD

谷峰半导体

G220P03S2

-30V P+P Channel TRENCH MOSFET

GOFORD

谷峰半导体

G2401CE

MNC
SOP24

MNC

铭普光磁

上传:深圳市喜鹊微科技有限公司

G2401CE

MNC
SOP24

MNC

铭普光磁

上传:深圳市喜鹊微科技有限公司

G2401CE/SMD

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技术参数

  • Configuration:

    P+P channel

  • ESD:

    NO

  • VDS:

    -30V

  • Id at 25℃(max):

    -9A

  • PD(max):

    2.7W

  • Vgs(th)typ(V):

    -1.5V

  • RDS(on)(typ)(@10V):

    17mΩ

  • RDS(on)(typ)(@4.5V):

    24mΩ

  • Qg(nC):

    24.5

  • Ciss:

    1277

  • Crss:

    160

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更多G220P03S2供应商 更新时间2025-10-6 11:06:00