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UPG2193T6E-E2

Marking:G2193;Package:TQFN;GaAs INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES •SupplyVoltage:VDD=2.5to3.0V(2.775VTYP.) •SerialPeripheralInterfaceSPISupplyVoltage :AUXSPI_VDD(H)=1.5to3.0V(1.8VTYP.) :AUXSPI_VDD(L)=−0.3to0.3V(0VTYP.) •LowInsertionLoss:Lins=0.4dBTYP.@GSM_LB_TX :Lins=0.6dBTYP.@GSM_HB_TX •Harm

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPG2193T6E-E2-A

Marking:G2193;Package:TQFN;GaAs INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES •SupplyVoltage:VDD=2.5to3.0V(2.775VTYP.) •SerialPeripheralInterfaceSPISupplyVoltage :AUXSPI_VDD(H)=1.5to3.0V(1.8VTYP.) :AUXSPI_VDD(L)=−0.3to0.3V(0VTYP.) •LowInsertionLoss:Lins=0.4dBTYP.@GSM_LB_TX :Lins=0.6dBTYP.@GSM_HB_TX •Harm

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

HYG210P06LQ1C2

Marking:G210P06;Package:PPAK5-8L;Single P-Channel Enhancement Mode MOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

华羿微电华羿微电子股份有限公司

HYG210P06LQ1D

Marking:G210P06;Package:TO-252-2L;P-Channel Enhancement Mode MOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

华羿微电华羿微电子股份有限公司

HYG210P06LQ1U

Marking:G210P06;Package:TO-251-3L;P-Channel Enhancement Mode MOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

华羿微电华羿微电子股份有限公司

HYG210P06LQ1V

Marking:G210P06;Package:TO-251-3S;P-Channel Enhancement Mode MOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

华羿微电华羿微电子股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    G21

  • 制造商:

    WISS

  • 功能描述:

    SNIP MULTI PURPOSE 190MM

  • 制造商:

    Cooper Hand Tools/Wiss

  • 功能描述:

    SNIP, MULTI PURPOSE, 190MM

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SMD
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更多G21供应商 更新时间2025-6-27 14:04:00