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G1K8P06S2	文件：1.25601 Mbytes Page：6 Pages	丝印：G1K8P06D；Package：SOP-8Dual；DUAL P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G1K8P06S2 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.25601 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G1K8P06S2	文件：300 bytes Page：1 Pages	-60V P+P Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

技术参数

Configuration：
P channel
ESD：
NO
VDS(min)：
-60V
Id at 25℃(max)：
-3.2A
PD(max)：
2W
Vgs(th)typ(V)：
-1.9V
RDS(on)(typ)(@10V)：
140mΩ
RDS(on)(typ)(@4.5V)：
175mΩ
Qg(nC)：
11.3
Ciss：
594
Crss：
22

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更多G1K8P06S2供应商更新时间2025-10-7 11:06:00

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