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G13P04S

丝印:G13P04;Package:SOP-8;P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G13P04S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

文件:1.03799 Mbytes 页数:6 Pages

GOFORD

谷峰半导体

G13P04S

-40V P Channel TRENCH MOSFET

GOFORD

谷峰半导体

G14A42121B12HR

AMPHENOL

安费诺

上传:深圳阅创想电子实业有限公司

G1582T11U

SOT-23

GMT

致新科技

上传:深圳市晨豪科技有限公司

G1840SR1VK

FCLGA1150

技术参数

  • Configuration:

    P channel

  • ESD:

    NO

  • VDS(min):

    -40V

  • Id at 25℃(max):

    -13A

  • PD(max):

    2.5W

  • Vgs(th)typ(V):

    -2V

  • RDS(on)(typ)(@10V):

    12mΩ

  • Qg(nC):

    40

  • Ciss:

    2800

  • Crss:

    220

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更多G13P供应商 更新时间2026-9-26 11:06:00