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G12P03D3	文件：582.29 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G12P03；Package：DFN3X3-8L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G12P03D3 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：582.29 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G12P03D3	文件：300 bytes Page：1 Pages	-30V P Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G1432Q5U	文件：0 bytes Page：0 Pages	GMT QFN	GMT 致新科技上传：深圳市兴联达电子有限公司(原兴达电子)	GMT
G1582T11U	文件：0 bytes Page：0 Pages	GMT SOT-23	GMT 致新科技上传：深圳市晨豪科技有限公司	GMT
G1840SR1VK	文件：0 bytes Page：0 Pages	Intel FCLGA1150	Intel 英特尔上传：深圳市英科美电子有限公司	Intel

技术参数

Configuration：
P channel
ESD：
NO
VDS：
-30V
Id at 25℃(max)：
-12A
PD(max)：
30W
Vgs(th)typ(V)：
-1.5V
RDS(on)(typ)(@10V)：
16mΩ
RDS(on)(typ)(@4.5V)：
22mΩ
Qg(nC)：
24.5
Ciss：
1337
Crss：
157

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现代芯城（深圳）科技有限公司	G12P03D3		24+	N/A	73000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
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更多G12P03D3供应商更新时间2025-10-11 15:01:00

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