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G12P03A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Mosfet;	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
EMB12P03A	文件：224.99 Kbytes Page：6 Pages	P?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB12P03G	文件：186.6 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS‐30V RDSON(MAX.)(VGS=‐10V)10mΩ ID‐13A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB12P03H	文件：211.31 Kbytes Page：6 Pages	P?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB12P03V	文件：197.44 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS‐30V RDSON(MAX.)12mΩ ID‐21A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
HY12P03S	文件：2.23419 Mbytes Page：11 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司	HUAYI
LTDL-TX12P03	文件：139.11 Kbytes Page：4 Pages	PropertyofLITE-ONOnly	LITEONLite-On Technology Corporation 光宝科技光宝科技股份有限公司	LITEON
PJD12P03L	文件：149.78 Kbytes Page：4 Pages	30VP-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

技术参数

Configuration：
P channel
ESD：
NO
VDS(max)：
-30V
Id at 25℃(max)：
-12A
PD(max)：
25W
Vgs(th)typ(V)：
-1.6V
RDS(on)(typ)(@10V)：
13mΩ~20mΩ
RDS(on)(typ)(@4.5V)：
19mΩ~30mΩ
Qg(nC)：
30
Ciss：
1800
Crss：
216

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宇创芯科技有限公司	G12P03A	GOFORD	24+	DFN3X3-8L	9600	原装现货,优势供应,支持实单!	询价
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深圳市润联芯城科技有限公司	G12P03A	GOFORD	23+	DFN3X3-8L	50000	原装正品支持实单	询价
北京三盛恒业电子有限公司	G12P03D3	GOFORD	21+	DFN3X3-8L	2500	进口原装,优势现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	G12P03D3	GOFORD			10		询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	G12P03D3		24+	N/A	73000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
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更多G12P03A供应商更新时间2025-7-29 15:17:00

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