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G120P03S2

丝印:G120P03;Package:SOP-8Dual;DUAL P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G120P03S2 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

文件:830.93 Kbytes 页数:6 Pages

GOFORD

谷峰半导体

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谷峰半导体

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友达

友达

G1432Q5U

GMT
QFN

G1582T11U

GMT
SOT-23

GMT

致新科技

上传:深圳市晨豪科技有限公司

技术参数

  • Configuration:

    P channel

  • ESD:

    NO

  • VDS(min):

    -30V

  • Id at 25℃(max):

    -16A

  • PD(max):

    1.4W

  • Vgs(th)typ(V):

    -1.5V

  • RDS(on)(typ)(@10V):

    11mΩ

  • RDS(on)(typ)(@4.5V):

    15mΩ

  • Qg(nC):

    35

  • Ciss:

    2835

  • Crss:

    324

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更多G120P03S2供应商 更新时间2025-10-11 11:06:00