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G116	文件：300 bytes Page：1 Pages	金属机壳	Multicomp 易络盟	Multicomp
G11620_15	文件：288.05 Kbytes Page：11 Pages	Single video line (128/256/512 pixels) near infrared image sensor (0.95 to 1.7 關m) 文件：288.05 Kbytes 页数：11 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
G116E	文件：183.98 Kbytes Page：2 Pages	Low Cost, 1W MiniDIP Single & Dual Output DC/DC Converters 文件：183.98 Kbytes 页数：2 Pages	MPD	MPD
G116E	文件：249.37 Kbytes Page：2 Pages	G100E Series 文件：249.37 Kbytes 页数：2 Pages	MPD	MPD
G116EI	文件：181.9 Kbytes Page：2 Pages	G100EI SERIES 文件：181.9 Kbytes 页数：2 Pages	MPD	MPD
G116EI	文件：180.93 Kbytes Page：2 Pages	Low Cost, 1W MiniDIP High Isolation DC/DC Converters 文件：180.93 Kbytes 页数：2 Pages	MPD	MPD
G11608-512DA	文件：300 bytes Page：1 Pages	宽光谱响应范围，近红外（0.5~1.7 μm）图像传感器 G11608系列是为近红外多通道光谱仪而设计的铟镓砷线阵图像传感器。G11608系列包括对短波长增强灵敏度的铟镓砷光电二极管阵列和内部包含电荷放大器、移位寄存器和时序产生器的CMOS芯片。电荷放大阵列是把铟镓砷二极管阵列的每个像素和CMOS晶体管连接而形成的。每个像素的信号在电荷积分模式下读出，因此获得了近红外波段的高灵敏度和工作稳定性。CMOS芯片上的信号处理电路可以通过对外电压来选择两种等级的转换效率（CE），以满足不同的应用需要。	Hamamatsu 滨松光子	Hamamatsu
G11620-256SA	文件：300 bytes Page：1 Pages	线阵近红外（0.95~1.7 μm）图像传感器制冷型，单视频线：256像素 G11620系列是为近红外多通道光谱仪而设计的铟镓砷线阵图像传感器。CMOS芯片内部包含电荷放大器、移位寄存器和时序产生器。与包括两片CMOS信号处理芯片的传统铟镓砷线性图像传感器不同，G11620系列通过将CMOS芯片与铟镓砷二极管阵列凹凸连接只使用一个CMOS芯片。这种结构降低了奇数像素和偶数像素间通常存在的视频输出差异。	Hamamatsu 滨松光子	Hamamatsu

晶体管资料

型号：
G116
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
射频/高频放大（HF）_功率放大（PA）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
A-100
vtest：
0
htest：
999900
atest：
0.05
wtest：
1

技术参数

外部深度 -英制：
2.36\
主体颜色：
无涂层
外壳类型：
S
productTraceability：
No
外部高度- 公制：
160mm
外部宽度 -英制：
3.94\
IP密封等级：
IP65
euEccn：
NLR
外部高度 -英制：
6.3\
可配置：
否
usEccn：
EAR99
产品范围：
G1
外部深度- 公制：
60mm
rohsPhthalatesCompliant：
YES
hazardous：
false
外部宽度- 公制：
100mm
rohsCompliant：
YES
外壳材质：
压铸铝
tariffCode：
76129080

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