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MSPM0G1107TDGS28R

丝印:G1107T;Package:VSSOP;MSPM0G110x Mixed-Signal Microcontrollers

1 Features • Core – Arm® 32-bit Cortex®-M0+ CPU with memory protection unit, frequency up to 80 MHz • Operating characteristics – Extended temperature: –40°C up to 105°C – Wide supply voltage range: 1.62 V to 3.6 V • Memories – Up to 128KB of flash memory with built-in error correction co

文件:5.56365 Mbytes 页数:96 Pages

TI

德州仪器

HYG110N03LR1S

丝印:G110N03;Package:SOP8L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:866.75 Kbytes 页数:10 Pages

HUAYI

华羿微电

HYG110P04LQ1C2

丝印:G110P04;Package:PPAK5-8L;Single P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:837.28 Kbytes 页数:10 Pages

HUAYI

华羿微电

RQ3G110AT

丝印:G110AT;Package:HSMT8;Pch -40V -35A Power MOSFET

文件:2.62014 Mbytes 页数:13 Pages

ROHM

罗姆

G11097-0606S

适用于二维红外成像的64 × 64像素图像传感器

G11097-0606S具有由一个CMOS读出电路(ROIC,读出集成电路)和背照式铟镓砷光电二极管组成的混合型结构。每个像素都是由一个铟镓砷光电二极管和一个ROIC通过铟突起电气连接组成的。ROIC内部的时序产生器使得仅仅通过外部数字输入主时钟和主开始信号,就可以获得模拟图像输出和AD-TRIG输出。该器件有64×64个像素,间距为50um,信号从一个视频线中读出。入射到铟镓砷光电二极管上的光被转换为电信号,再通过铟突起输入ROIC。 ROIC中的电信号通过电荷放大器被转换为电压信号,然后通过移位寄存器从视频线中顺序读出。该器件为TO-8密封封装,内含一级TE制冷,成本低,稳定性高。 \n- 通过偏置补偿,获得出色线性度\n- 灵敏度:1600 nV/e-\n- 全像素同步积分(全局快门模式)\n- 操作简单(内置时序产生器)\n- 一级TE制冷\n- 低成本;

Hamamatsu

滨松光子

G110DL

Low VF Rectifier Diode

ZOWIE

智威

G1101/2 BK005

包装:线轴 类别:电缆,电线 - 管理 螺线包材、伸缩套管 描述:EXPAND SLEEVING 1/4\

ALPHAWIRE

G1101/2 GY002

包装:线轴 类别:电缆,电线 - 管理 螺线包材、伸缩套管 描述:EXPAND SLEEV 1/4\

ALPHAWIRE

G1101/2 GY005

包装:散装 类别:电缆,电线 - 管理 螺线包材、伸缩套管 描述:EXPAND SLEEV 1/4\

ALPHAWIRE

技术参数

  • 像素尺寸:

    50 x 50 μm

  • 像素间距:

    50 μm

  • 总像素个数:

    4096

  • 封装:

    金属

  • 制冷:

    一级TE制冷

  • 线/帧速率:

    1025 frames/s

  • 光谱响应范围:

    950 to 1670 nm

  • 暗电流(典型):

    2 pA

  • 测试条件:

    除非注明,均为典型值,Td=-10 ℃

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NEC
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房间现货库存:QQ:373621633
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更多G110供应商 更新时间2026-1-24 10:31:00