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G10N80F	文件：878.17 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G10N80；Package：TO-220F；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description This advanced MOSFET family has optimized on-state resistance, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for high efficiency switch mode power supplies. Application l LED power supplies l Cell Phone C 文件：878.17 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G10N80F	文件：300 bytes Page：1 Pages	800V N Channel PLANAR MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
H10N80F	文件：616.49 Kbytes Page：7 Pages	800V N-Channel MOSFET Features: • Fast switching speed • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability • Enhanced Avalanche Ruggedness • Lead Free Applications: • Switch Mode Power Supply(SMPS) • Adapter & Charger • AC-DC Switching Power Supply 文件：616.49 Kbytes 页数：7 Pages	HUIXIN 慧芯电子	HUIXIN
H10N80T	文件：616.45 Kbytes Page：7 Pages	800V N-Channel MOSFET Features: • Fast switching speed • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability • Enhanced Avalanche Ruggedness • Lead Free Applications: • Switch Mode Power Supply(SMPS) • Adapter & Charger • AC-DC Switching Power Supply 文件：616.45 Kbytes 页数：7 Pages	HUIXIN 慧芯电子	HUIXIN
HFH10N80	文件：1.167 Mbytes Page：7 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：1.167 Mbytes 页数：7 Pages	SEMIHOW	SEMIHOW

技术参数

Package：
TO-220F
Type：
N
ESD Diode：
NO
Vds(V)：
800
Vgs(V)：
±30
Id(A)：
10
Pd(W)：
50
Vgs(th)max(V)：
5
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
750
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
900
Qg(nC)：
45
Qgs(nC)：
14
Qgd(nC)：
18
Ciss(pF)：
2185
Crss(pF)：
12
Technology：
PLANAR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳瞄钧科技有限公司	G10NC60KD	ST	24+	TO-220	16900	支持样品,原装现货,提供技术支持!	询价
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更多G10N80F供应商更新时间2026-3-18 10:31:00

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