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G100C04D52	文件：1.27131 Mbytes Page：10 Pages	丝印：G100C04；Package：DFN5/6-8LDual；N and P Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G100C04D52 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.27131 Mbytes 页数：10 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G100C04D52	文件：300 bytes Page：1 Pages	40/-40V N+P Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G121SN01液晶显示屏	文件：0 bytes Page：0 Pages	友达	友达上传：深圳市金睿扬电子科技有限公司	友达
G1432Q5U	文件：0 bytes Page：0 Pages	GMT QFN	GMT 致新科技上传：深圳市兴联达电子有限公司(原兴达电子)	GMT
G1582T11U	文件：0 bytes Page：0 Pages	GMT SOT-23	GMT 致新科技上传：深圳市晨豪科技有限公司	GMT

技术参数

Package：
DFN5*6-8L DUAL
Type：
N+P
ESD Diode：
NO
Vds(V)：
40/-40
Vgs(V)：
±20
Id(A)：
60/-40
Pd(W)：
65/58
Vgs(th)max(V)：
2.5/-2.5
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
7.5/12.5
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V：
10/16
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
9/15
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V：
12/20
Qg(nC)：
42/33
Qgs(nC)：
7/5
Qgd(nC)：
9/8
Ciss(pF)：
2350/2300
Crss(pF)：
153/207
Technology：
TRENCH

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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