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G090P02S

丝印:G090P02;Package:SOP-8;P-Channel Trench MOSFET

Description TheG090P02Susesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半导体

G090P02S

Trench Mosfet;

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半导体

技术参数

  • Configuration:

    P channel

  • ESD:

    NO

  • VDS:

    -20V

  • Id at 25℃(max):

    -11A

  • PD(max):

    3.3W

  • Vgs(th)typ(V):

    -0.65V

  • RDS(on)(typ)(@4.5V):

    7.5mΩ

  • Qg(nC):

    47

  • Ciss:

    2225

  • Crss:

    281

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更多G090P02S供应商 更新时间2025-7-29 11:06:00